Номер 1, страница 337 - гдз по физике 10 класс учебник Кабардин, Орлов

Физика, 10 класс Учебник, авторы: Кабардин Олег Фёдорович, Орлов Владимир Алексеевич, Эвенчик Эсфирь Ефимовна, Шамаш Сергей Яковлевич, Шефер Никодим Иванович, Кабардина Светлана Ильинична, издательство Просвещение, Москва, 2014

Авторы: Кабардин О. Ф., Орлов В. А., Эвенчик Э. Е., Шамаш С. Я., Шефер Н. И., Кабардина С. И.

Тип: Учебник

Издательство: Просвещение

Год издания: 2014 - 2026

Уровень обучения: углублённый

Цвет обложки: синий

ISBN: 978-5-09-088063-3

Раздел III. Электродинамика. Глава 6. Электрический ток в различных средах. Параграф 67. Транзистор. Вопросы - номер 1, страница 337.

№1 (с. 337)
Условие. №1 (с. 337)
скриншот условия
Физика, 10 класс Учебник, авторы: Кабардин Олег Фёдорович, Орлов Владимир Алексеевич, Эвенчик Эсфирь Ефимовна, Шамаш Сергей Яковлевич, Шефер Никодим Иванович, Кабардина Светлана Ильинична, издательство Просвещение, Москва, 2014, страница 337, номер 1, Условие

1. Как устроен транзистор?

Решение. №1 (с. 337)

1. Как устроен транзистор?

Транзистор — это полупроводниковый прибор, который является ключевым компонентом в современной электронике. Он используется для усиления, генерации и переключения электрических сигналов. Наиболее распространенным типом является биполярный транзистор, устройство которого мы и рассмотрим.

В основе конструкции биполярного транзистора лежит кристалл полупроводника (чаще всего кремния), в котором созданы три области с разным типом проводимости. Эти области образуют две структуры, которые и определяют два основных типа транзисторов:

1. NPN-транзистор: состоит из тонкого слоя полупроводника p-типа (с дырочной проводимостью), расположенного между двумя слоями полупроводника n-типа (с электронной проводимостью). Структура выглядит как n-p-n.

2. PNP-транзистор: состоит из тонкого слоя полупроводника n-типа, расположенного между двумя слоями полупроводника p-типа. Структура выглядит как p-n-p.

Каждая из этих трех областей имеет свое название и назначение:

  • Эмиттер (Э) — крайняя область, предназначенная для инжекции (эмиссии) носителей заряда (электронов для NPN или дырок для PNP) в центральную область. Эмиттер легируется (насыщается примесями) сильнее других областей, чтобы обеспечить высокую концентрацию носителей заряда.
  • База (Б) — очень тонкая центральная область. Она управляет потоком носителей заряда от эмиттера к коллектору. Малая толщина базы является ключевой конструктивной особенностью: она необходима для того, чтобы большинство носителей заряда, попавших в нее из эмиттера, не успели рекомбинировать и "проскочили" в коллектор.
  • Коллектор (К) — вторая крайняя область, предназначенная для сбора (коллекционирования) носителей заряда, прошедших через базу. Коллектор обычно имеет самую большую физическую площадь, так как на нем выделяется основная часть мощности, и ему требуется эффективный теплоотвод.

Таким образом, в структуре транзистора образуются два p-n перехода:

  • Эмиттерный переход — граница между эмиттером и базой.
  • Коллекторный переход — граница между коллектором и базой.

Работа транзистора основана на управлении током через эти переходы. Подавая небольшой ток или напряжение на вывод базы, можно управлять значительно большим током, протекающим между коллектором и эмиттером. Это свойство позволяет использовать транзистор в качестве усилителя или электронного ключа.

Каждая из трех областей (эмиттер, база и коллектор) имеет металлический вывод для подключения к электрической схеме.

Ответ: Биполярный транзистор устроен как трехслойная полупроводниковая структура, состоящая из чередующихся областей n-типа и p-типа (n-p-n или p-n-p). Эти три области называются эмиттер, база и коллектор. Эмиттер инжектирует носители заряда, очень тонкая база управляет их потоком, а коллектор их собирает. Внутри транзистора формируются два p-n перехода, а для подключения к схеме служат три вывода, по одному от каждой области.

Помогло решение? Оставьте отзыв в комментариях ниже.

Присоединяйтесь к Телеграм-группе @top_gdz

Присоединиться

Мы подготовили для вас ответ c подробным объяснением домашего задания по физике за 10 класс, для упражнения номер 1 расположенного на странице 337 к учебнику 2014 года издания для учащихся школ и гимназий.

Теперь на нашем сайте ГДЗ.ТОП вы всегда легко и бесплатно найдёте условие с правильным ответом на вопрос «Как решить ДЗ» и «Как сделать» задание по физике к упражнению №1 (с. 337), авторов: Кабардин (Олег Фёдорович), Орлов (Владимир Алексеевич), Эвенчик (Эсфирь Ефимовна), Шамаш (Сергей Яковлевич), Шефер (Никодим Иванович), Кабардина (Светлана Ильинична), ФГОС (старый) углублённый уровень обучения учебного пособия издательства Просвещение.