Номер 1, страница 101, часть 2 - гдз по физике 10 класс учебник Кронгарт, Казахбаева

1. Чем объясняется наличие небольшого обратного тока через $\text{р} — \text{п}$-переход?

1. Чем объясняется наличие небольшого обратного тока через p–n-переход?

Наличие небольшого обратного тока через p–n-переход объясняется движением неосновных носителей заряда. В полупроводнике p-типа основными носителями являются дырки, но из-за тепловой генерации существует небольшое количество свободных электронов, которые являются неосновными носителями. Аналогично, в полупроводнике n-типа основными носителями являются электроны, а неосновными — дырки.

Когда к p–n-переходу прикладывается обратное напряжение (плюс источника к n-области, а минус — к p-области), создаваемое им внешнее электрическое поле совпадает по направлению с внутренним полем обедненного слоя перехода. Это поле отталкивает основные носители заряда от границы перехода, расширяя обедненный слой и препятствуя их движению через переход.

Однако для неосновных носителей заряда (электронов в p-области и дырок в n-области), которые случайно оказываются вблизи перехода, это поле является ускоряющим. Внешнее поле "подхватывает" эти неосновные носители и перебрасывает их через переход: электроны из p-области в n-область, а дырки — из n-области в p-область. Это упорядоченное движение неосновных носителей и создает небольшой ток, называемый обратным током.

Величина этого тока очень мала, так как концентрация неосновных носителей мала. Она слабо зависит от величины обратного напряжения, но сильно зависит от температуры, поскольку количество неосновных носителей увеличивается с ростом температуры.

Ответ: Наличие небольшого обратного тока объясняется упорядоченным движением неосновных носителей заряда (электронов из p-области и дырок из n-области) через p–n-переход под действием внешнего электрического поля при обратном смещении.