Номер 4, страница 66, часть 2 - гдз по физике 8 класс рабочая тетрадь Грачев, Погожев

Авторы: Грачев А. В., Погожев В. А., Боков П. Ю., Вишнякова Е. А.

Тип: рабочая тетрадь

Издательство: Просвещение

Год издания: 2008 - 2025

Часть: 2

Цвет обложки: синий мужчина и мальчик грибники, сидят у костра

ISBN: 978-5-09-098463-8 (ч.1) 978-5-09-098464-5 (ч.2)

Популярные ГДЗ в 8 классе

Часть 2. Глава 7. Постоянный электрический ток. Параграф 54. Носители электрических зарядов в полупроводниках - номер 4, страница 66.

№4 (с. 66)
Условие. №4 (с. 66)
скриншот условия
Физика, 8 класс рабочая тетрадь, авторы: Грачев Александр Васильевич, Погожев Владимир Александрович, Боков Павел Юрьевич, Вишнякова Екатерина Анатольевна, издательство Просвещение, Москва, 2008, Часть 2, страница 66, номер 4, Условие

4. При увеличении количества свободных носителей заряда в полупроводнике его удельное сопротивление

увеличивается ☐

уменьшается ☐

не изменяется ☐

Отметьте знаком ✓ правильный ответ.

Решение. №4 (с. 66)

Решение

Удельное электрическое сопротивление, обозначаемое греческой буквой ро ($ \rho $), является фундаментальной характеристикой материала, показывающей его способность препятствовать прохождению электрического тока. Эта величина обратно пропорциональна удельной проводимости ($ \sigma $), которая, напротив, характеризует способность материала проводить ток. Связь между ними выражается простой формулой: $ \rho = \frac{1}{\sigma} $.

В полупроводниках, в отличие от металлов, электрический ток создается движением двух типов носителей заряда: свободных электронов (отрицательно заряженных) и так называемых "дырок" (положительно заряженных квазичастиц). Удельная проводимость полупроводника напрямую зависит от концентрации и подвижности этих носителей. Формула для удельной проводимости полупроводника выглядит следующим образом: $ \sigma = e \cdot (n_e \cdot \mu_e + n_p \cdot \mu_p) $, где $ e $ — элементарный заряд, $ n_e $ и $ n_p $ — концентрации свободных электронов и дырок соответственно, а $ \mu_e $ и $ \mu_p $ — их подвижности.

Исходя из этого, формула для удельного сопротивления полупроводника будет иметь вид:

$ \rho = \frac{1}{e \cdot (n_e \cdot \mu_e + n_p \cdot \mu_p)} $

Анализируя данную формулу, можно сделать однозначный вывод: удельное сопротивление $ \rho $ обратно пропорционально концентрациям свободных носителей заряда ($ n_e $ и $ n_p $). Это означает, что при увеличении общего количества свободных носителей заряда в полупроводнике (например, при нагревании или легировании примесями), знаменатель в дроби для $ \rho $ увеличивается. Увеличение знаменателя при постоянном числителе приводит к уменьшению значения самой дроби.

Таким образом, чем больше в полупроводнике свободных носителей заряда, тем легче им перемещаться под действием электрического поля, тем выше его проводимость и, соответственно, ниже его удельное сопротивление.

Ответ: уменьшается

Помогло решение? Оставьте отзыв в комментариях ниже.

Присоединяйтесь к Телеграм-группе @top_gdz

Присоединиться

Мы подготовили для вас ответ c подробным объяснением домашего задания по физике за 8 класс, для упражнения номер 4 расположенного на странице 66 для 2-й части к рабочей тетради 2008 года издания для учащихся школ и гимназий.

Теперь на нашем сайте ГДЗ.ТОП вы всегда легко и бесплатно найдёте условие с правильным ответом на вопрос «Как решить ДЗ» и «Как сделать» задание по физике к упражнению №4 (с. 66), авторов: Грачев (Александр Васильевич), Погожев (Владимир Александрович), Боков (Павел Юрьевич), Вишнякова (Екатерина Анатольевна), 2-й части ФГОС (старый) учебного пособия издательства Просвещение.