Номер 5, страница 66, часть 2 - гдз по физике 8 класс рабочая тетрадь Грачев, Погожев

Часть 2. Глава 7. Постоянный электрический ток. Параграф 54. Носители электрических зарядов в полупроводниках - номер 5, страница 66.

Условие.

5. Дополните предложения.

Приборы, в основе работы которых лежит явление зависимости сопротивления полупроводников от температуры, называют __________.

Приборы, в основе работы которых лежит явление зависимости сопротивления полупроводников от освещения, называют __________.

Терморезисторы (термисторы) применяют для измерения __________.

Фоторезисторы применяют для измерения __________.

Проводимость полупроводников, возникающую в результате их нагревания или освещения, называют __________.

Проводимость, проявляющуюся при внедрении в полупроводник примесей, называют __________.

Введение в кремний 0,1 % фосфора ______________ (увеличивает, уменьшает, не изменяет) его удельное сопротивление.

Полупроводники, в которых в результате внедрения примесей образуются свободные электроны, называют полупроводниками с ______________ типа.

Полупроводники, в которых в результате внедрения примесей образуются дырки, называют полупроводниками с ______________ проводимостью или полупроводниками ______________ типа.

В месте контакта полупроводников с примесной электронной проводимостью и примесной дырочной проводимостью образуется так называемый __________.

Решение.

Приборы, в основе работы которых лежит явление зависимости сопротивления полупроводников от температуры, называют
Решение:

Приборы, электрическое сопротивление которых изменяется в зависимости от их температуры, называются терморезисторами или термисторами. У полупроводниковых терморезисторов, в отличие от металлов, сопротивление, как правило, сильно уменьшается с ростом температуры. Это свойство используется для создания чувствительных датчиков температуры.

Ответ: терморезисторами.

Приборы, в основе работы которых лежит явление зависимости сопротивления полупроводников от освещения, называют
Решение:

Приборы, чье сопротивление зависит от интенсивности падающего на них света (освещенности), называются фоторезисторами. Это явление основано на внутреннем фотоэффекте в полупроводниках: под действием света (фотонов) в них рождаются дополнительные пары носителей заряда (электрон-дырка), что приводит к уменьшению сопротивления.

Ответ: фоторезисторами.

Терморезисторы (термисторы) применяют для измерения
Решение:

Поскольку сопротивление терморезистора однозначно связано с его температурой, измерив его сопротивление, можно точно определить температуру окружающей среды. Поэтому их широко используют в качестве датчиков температуры в различных устройствах, от бытовых электронных термометров до сложных систем промышленной автоматики и климат-контроля.

Ответ: температуры.

Фоторезисторы применяют для измерения
Решение:

Фоторезисторы используются в качестве датчиков света. По изменению их сопротивления можно судить об изменении освещенности. Они применяются в фотореле (например, для автоматического включения уличного освещения), экспонометрах в фотоаппаратах, различных системах сигнализации и датчиках пламени.

Ответ: освещенности.

Проводимость полупроводников, возникающую в результате их нагревания или освещения, называют
Решение:

В чистом (беспримесном) полупроводнике при сообщении достаточной энергии (например, при нагреве или поглощении фотонов света) происходит разрыв ковалентных связей между атомами. В результате этого образуются пары носителей заряда: свободный электрон и вакантное место — дырка. Такой механизм генерации носителей и обусловленная им электропроводность называются собственной проводимостью.

Ответ: собственной проводимостью.

Проводимость, проявляющуюся при внедрении в полупроводник примесей, называют
Решение:

При целенаправленном введении в кристалл полупроводника атомов других химических элементов (примесей) появляются дополнительные, "избыточные" носители заряда (электроны или дырки). Их концентрация обычно на много порядков превышает концентрацию собственных носителей. Такая проводимость, обусловленная наличием примесей, называется примесной проводимостью.

Ответ: примесной проводимостью.

Введение в кремний 0,1 % фосфора _________ его удельное сопротивление. (увеличивает, уменьшает, не изменяет)
Решение:

Кремний (Si) является элементом IV группы периодической системы, а фосфор (P) — элементом V группы. Атом фосфора, замещая атом кремния в кристаллической решетке, использует четыре из пяти своих валентных электронов для образования ковалентных связей с соседними атомами кремния. Пятый электрон оказывается слабо связанным с ядром и легко становится свободным, увеличивая концентрацию носителей заряда. Увеличение концентрации носителей заряда приводит к росту электропроводности $σ$. Удельное сопротивление $ρ$ обратно пропорционально проводимости ($ρ = 1/σ$), следовательно, удельное сопротивление уменьшается.

Ответ: уменьшает.

Полупроводники, в которых в результате внедрения примесей образуются свободные электроны, называют полупроводниками с ___________ проводимостью или полупроводниками ___________ типа.
Решение:

Когда в полупроводник IV группы (например, кремний) вводят примесь V группы (например, фосфор), которая отдает свободные электроны, такие примеси называют донорными. Основными (мажоритарными) носителями заряда становятся электроны, имеющие отрицательный заряд. Такая проводимость называется электронной, а сам полупроводник — полупроводником n-типа (от англ. negative — отрицательный).

Ответ: электронной, n-.

Полупроводники, в которых в результате внедрения примесей образуются дырки, называют полупроводниками с ___________ проводимостью или полупроводниками ___________ типа.
Решение:

Когда в полупроводник IV группы (например, кремний) вводят примесь III группы (например, бор), которой не хватает одного электрона для образования всех ковалентных связей, образуется вакантное место — "дырка". Такие примеси называют акцепторными. Дырка ведет себя как положительно заряженный носитель заряда. Такая проводимость называется дырочной, а сам полупроводник — полупроводником p-типа (от англ. positive — положительный).

Ответ: дырочной, p-.

В месте контакта полупроводников с примесной электронной проводимостью и примесной дырочной проводимостью образуется так называемый
Решение:

Область, в которой контактируют полупроводник p-типа (с преобладающей дырочной проводимостью) и полупроводник n-типа (с преобладающей электронной проводимостью), называется электронно-дырочным переходом, или p-n-переходом. Этот переход обладает уникальным свойством односторонней проводимости (пропускает ток в одном направлении и почти не пропускает в обратном) и является основой большинства полупроводниковых приборов, таких как диоды, транзисторы, тиристоры.

Ответ: p-n-переход (электронно-дырочный переход).