Номер 4, страница 332 - гдз по физике 10 класс учебник Кабардин, Орлов

Физика, 10 класс Учебник, авторы: Кабардин Олег Фёдорович, Орлов Владимир Алексеевич, Эвенчик Эсфирь Ефимовна, Шамаш Сергей Яковлевич, Шефер Никодим Иванович, Кабардина Светлана Ильинична, издательство Просвещение, Москва, 2014

Авторы: Кабардин О. Ф., Орлов В. А., Эвенчик Э. Е., Шамаш С. Я., Шефер Н. И., Кабардина С. И.

Тип: Учебник

Издательство: Просвещение

Год издания: 2014 - 2026

Уровень обучения: углублённый

Цвет обложки: синий

ISBN: 978-5-09-088063-3

Раздел III. Электродинамика. Глава 6. Электрический ток в различных средах. Параграф 65. Электрический ток в полупроводниках. Вопросы - номер 4, страница 332.

№4 (с. 332)
Условие. №4 (с. 332)
скриншот условия
Физика, 10 класс Учебник, авторы: Кабардин Олег Фёдорович, Орлов Владимир Алексеевич, Эвенчик Эсфирь Ефимовна, Шамаш Сергей Яковлевич, Шефер Никодим Иванович, Кабардина Светлана Ильинична, издательство Просвещение, Москва, 2014, страница 332, номер 4, Условие

4. Атомы с какой валентностью могут быть донорными примесями?

Решение. №4 (с. 332)

4. Донорными примесями называются атомы, которые при введении в кристаллическую решетку собственного полупроводника создают электронную проводимость (проводимость n-типа). Основные полупроводниковые материалы, такие как кремний (Si) и германий (Ge), являются элементами IV группы и имеют валентность IV. В их кристаллах каждый атом образует четыре ковалентные связи с соседними атомами. Чтобы атом примеси стал донором, то есть "поставщиком" свободного электрона, он должен иметь валентность выше, чем у атомов основного полупроводника. Как правило, для легирования четырехвалентных полупроводников используют пятивалентные элементы (элементы V группы, например, фосфор P, мышьяк As, сурьма Sb). Когда атом с пятью валентными электронами замещает атом кремния в узле кристаллической решетки, четыре его электрона участвуют в образовании ковалентных связей с соседними атомами кремния. Пятый же электрон оказывается избыточным, слабо связанным с атомом, и при небольшой затрате энергии становится свободным, переходя в зону проводимости и увеличивая электропроводность материала.

Ответ: Донорными примесями для полупроводника могут быть атомы с валентностью большей, чем валентность атомов самого полупроводника. Для наиболее распространенных полупроводников (кремний, германий) с валентностью IV донорными являются примеси с валентностью V.

5. Акцепторными примесями называются атомы, которые при введении в кристаллическую решетку собственного полупроводника создают дырочную проводимость (проводимость p-типа). Чтобы атом примеси стал акцептором, то есть "приемником" электрона, он должен иметь валентность ниже, чем у атомов основного полупроводника. Для легирования четырехвалентных полупроводников (Si, Ge) используют трехвалентные элементы (элементы III группы, например, бор B, алюминий Al, галлий Ga). Когда атом с тремя валентными электронами замещает атом кремния в решетке, ему не хватает одного электрона для образования четвертой ковалентной связи с соседним атомом. Возникает вакантное место для электрона, которое называется "дыркой". Эта дырка может быть заполнена электроном из соседней ковалентной связи, что приводит к появлению дырки в новом месте. Такое перемещение дырки по кристаллу эквивалентно движению положительного заряда, что и обеспечивает проводимость p-типа.

Ответ: Акцепторными примесями для полупроводника могут быть атомы с валентностью меньшей, чем валентность атомов самого полупроводника. Для полупроводников с валентностью IV (кремний, германий) акцепторными являются примеси с валентностью III.

Помогло решение? Оставьте отзыв в комментариях ниже.

Присоединяйтесь к Телеграм-группе @top_gdz

Присоединиться

Мы подготовили для вас ответ c подробным объяснением домашего задания по физике за 10 класс, для упражнения номер 4 расположенного на странице 332 к учебнику 2014 года издания для учащихся школ и гимназий.

Теперь на нашем сайте ГДЗ.ТОП вы всегда легко и бесплатно найдёте условие с правильным ответом на вопрос «Как решить ДЗ» и «Как сделать» задание по физике к упражнению №4 (с. 332), авторов: Кабардин (Олег Фёдорович), Орлов (Владимир Алексеевич), Эвенчик (Эсфирь Ефимовна), Шамаш (Сергей Яковлевич), Шефер (Никодим Иванович), Кабардина (Светлана Ильинична), ФГОС (старый) углублённый уровень обучения учебного пособия издательства Просвещение.