Номер 1, страница 390 - гдз по физике 10 класс учебник Мякишев, Буховцев

Физика, 10 класс Учебник, авторы: Мякишев Генадий Яковлевич, Буховцев Борис Борисович, Сотский Николай Николаевич, издательство Просвещение, Москва, 2019

Авторы: Мякишев Г. Я., Буховцев Б. Б., Сотский Н. Н.

Тип: Учебник

Серия: классический курс

Издательство: Просвещение

Год издания: 2019 - 2025

Уровень обучения: базовый и углублённый

Цвет обложки: синий

ISBN: 978-5-09-103619-9

Популярные ГДЗ в 10 классе

Образцы заданий ЕГЭ. Параграф 117. Электрический ток через контакт полупроводников с разным типом проводимости. Транзисторы. Глава 16. Электрический ток в различных средах - номер 1, страница 390.

№1 (с. 390)
Условие. №1 (с. 390)
Физика, 10 класс Учебник, авторы: Мякишев Генадий Яковлевич, Буховцев Борис Борисович, Сотский Николай Николаевич, издательство Просвещение, Москва, 2019, страница 390, номер 1, Условие
Решение. №1 (с. 390)
Физика, 10 класс Учебник, авторы: Мякишев Генадий Яковлевич, Буховцев Борис Борисович, Сотский Николай Николаевич, издательство Просвещение, Москва, 2019, страница 390, номер 1, Решение
Решение 3. №1 (с. 390)

Решение

Для выбора правильного ответа необходимо рассмотреть вклад каждого из перечисленных учёных в физику, за который они были удостоены Нобелевской премии.

  • 1) Басов и 2) Прохоров. Николай Басов и Александр Прохоров получили Нобелевскую премию по физике в 1964 году за фундаментальные исследования в области квантовой электроники, которые привели к созданию мазеров и лазеров. Их работа заложила основы лазерной техники, но не была непосредственно связана с исследованием полупроводников для этих устройств.

  • 3) Гинзбург. Виталий Гинзбург получил Нобелевскую премию по физике в 2003 году за вклад в теорию сверхпроводимости и сверхтекучести. Его исследования относятся к другой области физики конденсированного состояния и не касаются полупроводников для лазеров и средств связи.

  • 4) Алфёров. Жорес Алфёров получил Нобелевскую премию по физике в 2000 году «за разработку полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной оптоэлектроники». Именно его работы по созданию и исследованию полупроводниковых гетероструктур позволили создать эффективные полупроводниковые лазеры, светодиоды и быстрые транзисторы. Эти компоненты являются основой современных систем оптоволоконной и мобильной связи. Таким образом, его вклад полностью соответствует описанию в вопросе.

Ответ: 4) Алфёров.

Помогло решение? Оставьте отзыв в комментариях ниже.

Присоединяйтесь к Телеграм-группе @top_gdz

Присоединиться

Мы подготовили для вас ответ c подробным объяснением домашего задания по физике за 10 класс, для упражнения номер 1 расположенного на странице 390 к учебнику серии классический курс 2019 года издания для учащихся школ и гимназий.

Теперь на нашем сайте ГДЗ.ТОП вы всегда легко и бесплатно найдёте условие с правильным ответом на вопрос «Как решить ДЗ» и «Как сделать» задание по физике к упражнению №1 (с. 390), авторов: Мякишев (Генадий Яковлевич), Буховцев (Борис Борисович), Сотский (Николай Николаевич), ФГОС (старый) базовый и углублённый уровень обучения учебного пособия издательства Просвещение.