Номер 2, страница 176 - гдз по физике 10 класс учебник Кабардин, Орлов

Физика, 10 класс Учебник, авторы: Кабардин Олег Фёдорович, Орлов Владимир Алексеевич, Эвенчик Эсфирь Ефимовна, Шамаш Сергей Яковлевич, Шефер Никодим Иванович, Кабардина Светлана Ильинична, издательство Просвещение, Москва, 2014

Авторы: Кабардин О. Ф., Орлов В. А., Эвенчик Э. Е., Шамаш С. Я., Шефер Н. И., Кабардина С. И.

Тип: Учебник

Издательство: Просвещение

Год издания: 2014 - 2026

Уровень обучения: углублённый

Цвет обложки: синий

ISBN: 978-5-09-088063-3

Раздел II. Молекулярная физика. Глава 2. Основы молекулярно-кинетической теории. § 32*. Получение и применение кристаллов - номер 2, страница 176.

№2 (с. 176)
Условие. №2 (с. 176)
скриншот условия
Физика, 10 класс Учебник, авторы: Кабардин Олег Фёдорович, Орлов Владимир Алексеевич, Эвенчик Эсфирь Ефимовна, Шамаш Сергей Яковлевич, Шефер Никодим Иванович, Кабардина Светлана Ильинична, издательство Просвещение, Москва, 2014, страница 176, номер 2, Условие

2. Какое влияние на свойства кристаллов оказывают дефекты в строении кристаллической решётки?

Решение. №2 (с. 176)

1. Какие дефекты бывают в структуре кристаллов?

Дефекты в кристаллах представляют собой любые нарушения идеальной периодической структуры кристаллической решётки. Их классифицируют по размерности (геометрическим характеристикам) на несколько основных групп.

Точечные (нульмерные) дефекты. Это нарушения, локализованные в области одного или нескольких межатомных расстояний. К ним относятся:

- Вакансии: незанятые узлы кристаллической решётки, в которых должен был бы находиться атом.

- Межузельные атомы: атомы, расположенные не в узлах, а в промежутках между ними (в межузлиях). Это могут быть как собственные атомы кристалла, так и примесные.

- Атомы замещения: атомы примеси, которые замещают атомы основного вещества в узлах решётки.

- Дефекты по Френкелю: комбинация вакансии и межузельного атома, образованная при переходе атома из узла в межузлие.

- Дефекты по Шоттки: пара вакансий противоположных знаков (катионной и анионной) в ионных кристаллах, необходимая для сохранения общей электронейтральности.

Линейные (одномерные) дефекты. Это нарушения, имеющие значительную протяжённость в одном направлении и малые размеры в двух других. Основной вид – дислокации.

- Краевая дислокация: представляет собой край "лишней" атомной полуплоскости, вставленной в кристалл.

- Винтовая дислокация: возникает в результате сдвига одной части кристалла относительно другой, при этом атомные плоскости закручиваются в спираль вокруг линии дислокации.

Поверхностные (двумерные) дефекты. Это нарушения, протяжённые в двух измерениях.

- Границы зёрен: поверхности, разделяющие кристаллиты (зёрна) с различной пространственной ориентацией в поликристаллических материалах.

- Двойниковые границы: границы, по обе стороны от которых кристаллические структуры являются зеркальным отражением друг друга.

- Дефекты упаковки: нарушения правильной последовательности укладки атомных слоёв.

- Внешняя поверхность кристалла: сама по себе является двумерным дефектом, так как на ней обрывается периодичность решётки.

Объёмные (трёхмерные) дефекты. Макроскопические дефекты, имеющие размеры во всех трёх направлениях.

- Поры, каверны, микротрещины: пустые объёмы внутри кристалла.

- Включения: области другой фазы внутри основной кристаллической матрицы (например, частицы оксидов в металле).

Ответ: В структуре кристаллов бывают точечные (вакансии, примеси), линейные (дислокации), поверхностные (границы зёрен) и объёмные (поры, включения) дефекты.

2. Какое влияние на свойства кристаллов оказывают дефекты в строении кристаллической решётки?

Дефекты кристаллической решётки оказывают огромное и часто решающее влияние на весь комплекс физико-механических свойств реальных материалов. Управление концентрацией и типом дефектов является основным способом создания материалов с заданными характеристиками.

Влияние на механические свойства:

Дефекты определяют прочность и пластичность материалов. Пластическая деформация металлов происходит за счёт движения линейных дефектов – дислокаций. Благодаря им деформация возможна при напряжениях, в сотни и тысячи раз меньших, чем теоретическая прочность идеального кристалла. Увеличение плотности дефектов (дислокаций, границ зёрен) затрудняет их движение, что приводит к упрочнению материала (повышению прочности и твёрдости), но обычно снижает его пластичность. Объёмные дефекты, такие как микротрещины, являются концентраторами напряжений и критически снижают сопротивление материала разрушению.

Влияние на электрические свойства:

В металлах дефекты являются центрами рассеяния электронов и увеличивают электрическое сопротивление. В полупроводниках, наоборот, именно контролируемое введение точечных дефектов (легирующих примесей) позволяет создавать носители заряда (электроны и дырки) и управлять электропроводностью. Вся современная полупроводниковая электроника основана на этом явлении. В ионных кристаллах движение точечных дефектов (вакансий) обеспечивает ионную проводимость, используемую в батареях и топливных элементах.

Влияние на оптические свойства:

Точечные дефекты могут создавать так называемые центры окраски, которые поглощают свет и придают цвет прозрачным кристаллам (например, окраска драгоценных камней). Некоторые дефекты служат центрами люминесценции, что используется в светодиодах и люминофорах. Поверхностные и объёмные дефекты (границы зёрен, поры) рассеивают свет, снижая прозрачность материала.

Влияние на другие свойства:

Диффузия (перенос вещества) в твёрдых телах происходит преимущественно за счёт движения точечных дефектов. Дефекты также рассеивают фононы (кванты тепловых колебаний), что приводит к снижению теплопроводности материала.

Ответ: Дефекты кардинально изменяют свойства кристаллов: определяют их механическую прочность и пластичность (дислокации), создают электропроводность в полупроводниках (примеси), влияют на цвет и оптическую прозрачность (центры окраски, границы зёрен), а также на теплопроводность и скорость диффузии.

3. Каки-

Вопрос в исходном изображении является неполным. Для предоставления развёрнутого ответа необходимо знать его полное содержание.

Ответ: Вопрос неполон, ответ не может быть дан.

Помогло решение? Оставьте отзыв в комментариях ниже.

Присоединяйтесь к Телеграм-группе @top_gdz

Присоединиться

Мы подготовили для вас ответ c подробным объяснением домашего задания по физике за 10 класс, для упражнения номер 2 расположенного на странице 176 к учебнику 2014 года издания для учащихся школ и гимназий.

Теперь на нашем сайте ГДЗ.ТОП вы всегда легко и бесплатно найдёте условие с правильным ответом на вопрос «Как решить ДЗ» и «Как сделать» задание по физике к упражнению №2 (с. 176), авторов: Кабардин (Олег Фёдорович), Орлов (Владимир Алексеевич), Эвенчик (Эсфирь Ефимовна), Шамаш (Сергей Яковлевич), Шефер (Никодим Иванович), Кабардина (Светлана Ильинична), ФГОС (старый) углублённый уровень обучения учебного пособия издательства Просвещение.