Номер 6, страница 184 - гдз по физике 8 класс учебник Хижнякова, Синявина

Глава 10. Электрический ток в газах, вакууме и полупроводниках. Параграф 50. Электрический ток в полупроводниках. Полупроводниковые приборы - номер 6, страница 184.

Условие.

6. Какие свойства полупроводников лежат в основе действия: а) терморезисторов; б) фоторезисторов?

Решение.

а) терморезисторов

В основе действия терморезисторов лежит свойство полупроводников значительно изменять своё электрическое сопротивление при изменении температуры. В отличие от металлов, у которых сопротивление растёт с температурой, у полупроводников оно, как правило, уменьшается. Это связано с тем, что при нагревании увеличивается тепловая энергия атомов кристаллической решётки. Этой энергии становится достаточно для разрыва ковалентных связей и перехода электронов из валентной зоны в зону проводимости. В результате увеличивается концентрация свободных носителей заряда — электронов и дырок, что и приводит к уменьшению сопротивления.

Ответ: В основе действия терморезисторов лежит сильная зависимость электрического сопротивления полупроводников от температуры.

б) фоторезисторов

В основе действия фоторезисторов лежит явление внутреннего фотоэффекта в полупроводниках, или фотопроводимость. Суть этого явления заключается в том, что при поглощении полупроводником квантов света (фотонов) с энергией, достаточной для разрыва ковалентных связей, в нём образуются дополнительные пары свободных носителей заряда (электрон-дырка). Увеличение концентрации носителей заряда под действием света приводит к увеличению электропроводности, а следовательно, к уменьшению электрического сопротивления полупроводника. Чем интенсивнее освещение, тем больше генерируется пар носителей и тем меньше сопротивление.

Ответ: В основе действия фоторезисторов лежит зависимость электрического сопротивления полупроводников от освещённости (внутренний фотоэффект).