Номер 8, страница 338 - гдз по физике 10 класс учебник Кабардин, Орлов

Физика, 10 класс Учебник, авторы: Кабардин Олег Фёдорович, Орлов Владимир Алексеевич, Эвенчик Эсфирь Ефимовна, Шамаш Сергей Яковлевич, Шефер Никодим Иванович, Кабардина Светлана Ильинична, издательство Просвещение, Москва, 2014

Авторы: Кабардин О. Ф., Орлов В. А., Эвенчик Э. Е., Шамаш С. Я., Шефер Н. И., Кабардина С. И.

Тип: Учебник

Издательство: Просвещение

Год издания: 2014 - 2026

Уровень обучения: углублённый

Цвет обложки: синий

ISBN: 978-5-09-088063-3

Раздел III. Электродинамика. Глава 6. Электрический ток в различных средах. Параграф 67. Транзистор. Ответьте на итоговые вопросы к главе - номер 8, страница 338.

№8 (с. 338)
Условие. №8 (с. 338)
скриншот условия
Физика, 10 класс Учебник, авторы: Кабардин Олег Фёдорович, Орлов Владимир Алексеевич, Эвенчик Эсфирь Ефимовна, Шамаш Сергей Яковлевич, Шефер Никодим Иванович, Кабардина Светлана Ильинична, издательство Просвещение, Москва, 2014, страница 338, номер 8, Условие

8. Охарактеризуйте поведение полупроводников при различных внешних воздействиях. Приведите примеры их применения в науке и технике.

Решение. №8 (с. 338)

Охарактеризуйте поведение полупроводников при различных внешних воздействиях.

Полупроводники – это материалы, занимающие по своей электропроводности промежуточное положение между проводниками и диэлектриками. Ключевой особенностью полупроводников является сильная зависимость их электрических свойств от различных внешних факторов, что обусловлено их зонной структурой – наличием запрещенной зоны ($E_g$) небольшой ширины между валентной зоной и зоной проводимости.

Влияние температуры: В отличие от металлов, у которых сопротивление растет с температурой, у полупроводников сопротивление с ростом температуры падает (а проводимость, соответственно, растет). При абсолютном нуле ($T=0$ K) собственный (чистый) полупроводник ведет себя как диэлектрик. С повышением температуры тепловая энергия ($\text{kT}$) становится достаточной для того, чтобы электроны переходили из валентной зоны в зону проводимости. Этот процесс называется генерацией электронно-дырочной пары. Увеличение концентрации свободных носителей заряда (электронов и дырок) приводит к резкому росту электропроводности.

Влияние освещения: Если полупроводник освещать светом, энергия фотонов которого ($h\nu$) превышает или равна ширине запрещенной зоны ($h\nu \ge E_g$), то фотоны будут поглощаться, создавая дополнительные электронно-дырочные пары. Это явление называется внутренним фотоэффектом или фотопроводимостью. В результате освещения концентрация носителей заряда увеличивается, что приводит к росту проводимости полупроводника.

Влияние примесей (легирование): Это не столько внешнее воздействие, сколько фундаментальный способ управления свойствами полупроводников. Введение в кристалл атомов других элементов позволяет создавать полупроводники с заранее заданными свойствами.

  • Полупроводники n-типа: Создаются введением донорной примеси (например, фосфора в кремний). Атомы примеси имеют лишний валентный электрон, который легко становится свободным. В таком полупроводнике основными (мажоритарными) носителями заряда являются электроны.
  • Полупроводники p-типа: Создаются введением акцепторной примеси (например, бора в кремний). У атомов примеси не хватает электрона для образования всех связей, что создает «дырку» – вакантное место для электрона. В p-полупроводниках основными носителями заряда являются дырки.
Легирование позволяет увеличить проводимость на много порядков и является основой для создания p-n переходов.

Влияние электрического поля: Приложение внешнего электрического поля вызывает направленное движение (дрейф) свободных электронов и дырок, что и представляет собой электрический ток. При достаточно сильных полях может возникнуть лавинный пробой, когда носители заряда, ускоренные полем, приобретают энергию, достаточную для ионизации атомов решетки и порождения новых электронно-дырочных пар.

Влияние магнитного поля: При протекании тока через полупроводник, помещенный в перпендикулярное магнитное поле, на его боковых гранях возникает разность потенциалов. Это явление называется эффектом Холла. Знак холловского напряжения позволяет однозначно определить тип основных носителей заряда (электроны или дырки), а его величина – их концентрацию.

Влияние механической деформации: Удельное сопротивление полупроводников заметно изменяется при их сжатии или растяжении. Этот эффект, называемый пьезорезистивным, значительно сильнее, чем у металлов.

Ответ: Проводимость полупроводников сильно зависит от внешних условий: она экспоненциально растет с повышением температуры и увеличивается при освещении из-за генерации дополнительных носителей заряда (электронно-дырочных пар). Свойства полупроводников целенаправленно изменяют путем легирования (введения примесей), создавая материалы n-типа или p-типа. Электрическое поле вызывает в них ток, магнитное поле приводит к возникновению эффекта Холла, а механическая деформация изменяет их сопротивление (пьезорезистивный эффект).

Приведите примеры их применения в науке и технике.

Уникальные свойства полупроводников и возможность управлять ими сделали эти материалы основой всей современной электроники и многих других областей науки и техники.

Диоды: Это устройства на основе p-n перехода. Они используются как:

  • Выпрямители: преобразуют переменный ток в постоянный (в блоках питания).
  • Светодиоды (LED): преобразуют электрический ток в световое излучение (в освещении, индикаторах, экранах).
  • Фотодиоды и солнечные батареи: преобразуют световую энергию в электрическую (в датчиках света, оптоволоконной связи, солнечной энергетике).
  • Стабилитроны (диоды Зенера): используются для стабилизации напряжения.

Транзисторы: Биполярные и полевые (например, МОП/MOSFET) транзисторы являются ключевыми элементами, способными усиливать электрические сигналы и работать в качестве электронных ключей. Они являются «кирпичиками» для построения интегральных микросхем, процессоров, микроконтроллеров и чипов памяти (ОЗУ, флеш-память). Практически вся цифровая техника, от смартфонов до суперкомпьютеров, построена на транзисторах.

Датчики (сенсоры):

  • Термисторы и терморезисторы: используются для измерения температуры, так как их сопротивление сильно зависит от нее.
  • Фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы: применяются в качестве датчиков освещенности (например, в системах автоматического включения света, в экспонометрах фотоаппаратов).
  • Датчики Холла: используются для измерения напряженности магнитного поля, определения положения, скорости вращения (в двигателях, системах ABS).
  • Тензодатчики: на основе пьезорезистивного эффекта применяются для измерения механических деформаций, силы и давления.

Силовая электроника: Мощные полупроводниковые приборы, такие как тиристоры и IGBT-транзисторы, управляют большими токами и напряжениями. Они используются в инверторах (например, для подключения солнечных панелей к сети), системах управления электродвигателями, источниках бесперебойного питания.

Оптоэлектроника: Полупроводниковые лазеры (лазерные диоды) являются источниками когерентного света и применяются в проигрывателях CD/DVD/Blu-ray, в системах волоконно-оптической связи, лазерных принтерах и сканерах штрих-кодов.

Научные исследования:

  • В физике высоких энергий (например, на Большом адронном коллайдере) огромные детекторы, состоящие из кремниевых пиксельных и стриповых сенсоров, используются для сверхточного отслеживания траекторий элементарных частиц.
  • Детекторы из особо чистого германия (HPGe) или теллурида кадмия (CdTe) применяются для спектроскопии рентгеновского и гамма-излучения в ядерной физике, астрофизике, медицине и системах безопасности.

Ответ: Полупроводники являются основой современной техники. Главные примеры их применения: диоды (выпрямители, светодиоды, фотоэлементы), транзисторы (основа всех микросхем, процессоров и памяти), разнообразные датчики (температуры, света, магнитного поля, давления), приборы силовой электроники и оптоэлектронные устройства, такие как лазеры. В науке полупроводники используются для создания высокочувствительных детекторов частиц и излучений.

Помогло решение? Оставьте отзыв в комментариях ниже.

Присоединяйтесь к Телеграм-группе @top_gdz

Присоединиться

Мы подготовили для вас ответ c подробным объяснением домашего задания по физике за 10 класс, для упражнения номер 8 расположенного на странице 338 к учебнику 2014 года издания для учащихся школ и гимназий.

Теперь на нашем сайте ГДЗ.ТОП вы всегда легко и бесплатно найдёте условие с правильным ответом на вопрос «Как решить ДЗ» и «Как сделать» задание по физике к упражнению №8 (с. 338), авторов: Кабардин (Олег Фёдорович), Орлов (Владимир Алексеевич), Эвенчик (Эсфирь Ефимовна), Шамаш (Сергей Яковлевич), Шефер (Никодим Иванович), Кабардина (Светлана Ильинична), ФГОС (старый) углублённый уровень обучения учебного пособия издательства Просвещение.